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J-GLOBAL ID：201402285293599773   整理番号：14A0630833

不動態化Si(001)表面に成長させたαセキシチオフェン超薄膜の電子構造

Electronic structure of α-sexithiophene ultrathin films grown on passivated Si(001) surfaces

著者 (8件)： HIRAGA K. (Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN) ,  TOYOSHIMA H. (Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN) ,  TANAKA H. (Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN) ,  INOUE K. (Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN) ,  OHNO S. (Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN) ,  MUKAI K. (The Inst. for Solid State Physics, The Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, JPN) ,  YOSHINOBU J. (The Inst. for Solid State Physics, The Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, JPN) ,  TANAKA M. (Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 307  ページ： 520-524  発行年： 2014年07月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3種のパシベートされたSi(001)表面,酸化Si(001),水吸着Si(001),エチレン吸着Si(001)上のαセキシチオフェン(α-6T)の価電子状態を紫外光電子分光(UPS)を用いて研究した。α-6Tの0.5nm以下の厚さの層では,水吸着Si(001)とエチレン吸着Si(001)に対して明瞭なπ状態の特徴が観測されたが,一方,酸化Si(001)に対しては幅の広い特徴が観測された。この相違は水吸着Si(001)とエチレン吸着Si(001)上でのよく秩序化した積層形成に帰せられた。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  表面 ,  *不動態化 ,  *電子構造 ,  *超薄膜 ,  酸化 ,  *吸着 ,  水 ,  価電子バンド ,  π電子 ,  積層構造 ,  *紫外光電子スペクトル ,  有機半導体 ,  半導体薄膜 ,  *分子配向 ,  仕事関数 ,  電荷移動 ,  アルケン ,  *改変

分類 (3件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

物質索引 (2件)： α-セキシチオフェン ,  エチレン

タイトルに関連する用語 (6件)： 不動態化 ,  Si ,  成長 ,  セキシチオフェン ,  超薄膜 ,  電子構造