文献

J-GLOBAL ID：201402287718547082   整理番号：14A0575643

垂直MOSFETにおける静電レンズ効果のサイズ依存性

Size dependence of electrostatic lens effect in vertical MOSFETs

著者 (4件)： MURAGUCHI Masakazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MURAGUCHI Masakazu (JST-CREST, Sendai, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (JST-CREST, Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 4S  ページ： 04EJ09.1-04EJ09.4  発行年： 2014年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールの垂直ピラー形金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(V-MOSFET)のチャネル中の静電レンズ効果のサイズ依存性を量子力学シミュレーションによって調べた。著者等の発見は,V-MOSFETに及ぼす静電レンズ効果による効率的な電流経路の制御用のピラーの用いることのできる直径は10~30nmであることを示している。大直径(直径30nm)のピラーでは,ソースとボディとの間,およびボディとソースの間の界面におけるレンズ効果は電子のバリスティック輸送のために良く働く。他方では,細いピラー(直径が10nmまたはそれ以下)では,電子がバリスティック輸送を示しているのに電子の動力学が古典的幾何光学によっては取り扱うことが困難であるために,レンズ効果は良く働かない。著者等の結果は,提案された方法は,多くのナノスケールのピラー形デバイスのために適用できることを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 垂直型 ,  *MOSFET ,  効果 ,  サイズ効果 ,  規模 ,  チャネル ,  シミュレーション ,  柱 ,  ソース【半導体】 ,  バリスティック輸送 ,  静電レンズ ,  ナノスケール ,  レンズ効果 ,  量子シミュレーション ,  立体
準シソーラス用語： ピラー

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (30件)：

• H. van Houten, C. W. J. Beenakker, J. G. Williamson, M. E. I. Broekaart, P. H. M. van Loosdrecht, B. J. van Wees, J. E. Mooij, C. T. Foxon, and J. Harris, Phys. Rev. B 39, 8556 (1989).
• H. van Houten, B. J. van Wees, J. E. Mooij, C. W. J. Beenakker, J. G. Williamson, and C. T. Foxon, Europhys. Lett. 5, 721 (1988).
• J. J. Heremans, S. von Molnár, D. D. Awschalom, and A. C. Gossard, Appl. Phys. Lett. 74, 1281 (1999).
• J. Spector, H. L. Stormer, K. W. Baldwin, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Appl. Phys. Lett. 56, 2433 (1990).
• T. K. Gaylord and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 65, 814 (1989).

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直 ,  MOSFET ,  静電レンズ ,  サイズ依存性