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J-GLOBAL ID：201402289726986640   整理番号：14A0552267

如何にしてポストアニールによって損傷結晶の回復を監視することができるか?

How Can We Monitor the Recovery of a Damaged Crystal by the Post Annealing?

著者 (6件)： NAKAGAWA Sachiko T. (Graduate School of Sci., Okayama Univ. of Sci.) ,  MURAKAMI Tomoaki (Graduate School of Sci., Okayama Univ. of Sci.) ,  NOMURA Masakatsu (Graduate School of Sci., Okayama Univ. of Sci.) ,  KANDA Hisao (National Inst. for Materials Sci.) ,  SUKEDAI Eiichi (Graduate School of Sci., Okayama Univ. of Sci.) ,  WHITLOW Harry J. (Inst. des Microtechnologies Appliquees Arc, Haute-Ecole Arc Ingenierie)
資料名： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻： 134  号： 4  ページ： 479-483 (J-STAGE)  発行年： 2014年 
JST資料番号： S0810A  ISSN： 0385-4221  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有効な半導体装置を製造するために,注入されたドーパントは,ポストアニール(PA)のステップを必要とする結晶格子サイト上に配置する必要がある。PAの期間は最低でも数ミリ秒かかる。これは,ここで議論されている経験的分子動力学(MD)シミュレーションの時間限界をはるかに超えている。それにもかかわらず,PAの初期段階でのわずかな変化は,続くイベントを管理する。時間の経過とともにPAに何が起こるかは,ロングレンジ・オーダー(LRO)パラメータに関してMDシミュレーションのフレームワークにおいて検討した。LROは期待されたように継続的に回復しなかった。その代わり,ほぼ一定の時間,間隔でスパイクを展開する。本稿は,結晶性は相乗的に振動により回復する。すなわち,PAの最終段階に対して局所フォノンは,散発的に前に出てくることを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 焼なまし ,  *結晶 ,  *半導体素子 ,  *ドーパント ,  結晶格子 ,  分子動力学 ,  *計算機シミュレーション ,  シミュレーション ,  *分子動力学シミュレーション ,  *計算機利用 ,  *利用
準シソーラス用語： *ポストアニール ,  *ポストアニール処理 ,  *半導体装置

分類 (1件)： 構造決定法・回折結晶学一般  (BK01010X)

引用文献 (23件)：

• (1) http://www.mext.go.jp/english/topics/1307728.htm
• (2) A. Frangi, C. Cercignani, S. Mukherjee: N. Aluru (Eds.) : “Advances in Multiphysics Simulation and Experimental Testing of MEMS”, Imperial College Press, London (2008)
• (3) http://www.itrs.net/links/2011ITRS/Home2011.htm
• (4) http://geant4.cern.ch/
• (5) S. T. Nakagawa : “Effect of Disorder and Defects in Ion-Implanted Semiconductors: Electrical and Physiochemical Characterization”, Chapter 3, Academic Press, Boston (1997)

タイトルに関連する用語 (4件)： ポストアニール ,  損傷 ,  結晶 ,  回復