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J-GLOBAL ID：201402291315397665   整理番号：14A1131864

Sn₅₈Biベース半田中のBiリッチ層の形成におけるエレクトロマイグレーション挙動と添加元素の効果

Electromigration Behaviors and Effects of Addition Elements on the Formation of a Bi-rich Layer in Sn58Bi-Based Solders

著者 (5件)： ZHAO Xu (Akita Univ., Dep. of Mechanical Engineering, Tegatagakuen-machi 1-1, 010-8502, Akita, JPN) ,  SAKA Masumi (Tohoku Univ., Dep. of Nanomechanics, Aoba 6-6-01, Aramaki, Aoba-ku, 980-8579, Sendai, JPN) ,  MURAOKA Mikio (Akita Univ., Dep. of Mechanical Engineering, Tegatagakuen-machi 1-1, 010-8502, Akita, JPN) ,  YAMASHITA Mitsuo (Fuji Electric Co., Ltd, 1-11-2, Osaki, Shinagawa-ku, 141-0032, Tokyo, JPN) ,  HOKAZONO Hiroaki (Fuji Electric Co., Ltd, Fuji-machi, Hino, 191-8502, Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 43  号： 11  ページ： 4179-4185  発行年： 2014年11月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,Sn₅₈Bi(SB),Sn₅₈Bi_0.5Ag(SBA)およびSn₅₈Bi_0.5Ag_0.1Cu_0.07Ni_0.01Ge(SBACNG)を含む,Sn₅₈Biベース半田中のBiリッチ層の形成におけるエレクトロマイグレーション挙動と添加元素の効果について検討する。EM試験が373Kの比較的高い温度と30kA/cm²の電流密度において行われた。主な拡散原子がBiであったにもかかわらず,ヒロックはBiからよりもSnからの方が容易に形成された。電流ストレス中の半田において電気抵抗が増加したが,その主な要因はBiリッチ層の形成によるものである。SBACNG半田はBiリッチ層の形成に対して最も大きな抵抗性を示し,SBAそしてSB半田と続いた。SBACNG半田の抵抗性を高める可能性のある元素は,Ag,Ni,そしてGeである。添加元素の効果は次のようにまとめられる:(1)AgはSnの機械的強度を高めるAg₃Sn金属間化合物(IMC)としてSn相中に分散する;(2)Ni-Bi IMCとしてBi中に分散するNiは,Biを安定化しそのマイグレーションを抑制する;そして(3)Geは多分BI中にに分散しBiを安定化するか,または,Biのマイグレーションを抑制する沈殿物として相境界に存在する。Copyright 2014 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *はんだ ,  スズ ,  ビスマス ,  *エレクトロマイグレーション ,  合金元素 ,  銀 ,  ニッケル ,  ゲルマニウム ,  金属間化合物 ,  *信頼性 ,  微量元素
準シソーラス用語： Ag ,  Bi ,  Ge ,  Ni ,  Sn ,  *鉛フリーはんだ ,  添加元素 ,  *半田接合信頼性

分類 (4件)： ろう付  (WC07050C) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  混成集積回路  (NC03163K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 半田 ,  Bi ,  エレクトロマイグレーション ,  挙動 ,  添加元素