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J-GLOBAL ID：201402292562288239   整理番号：14A0602951

エチレンジアミンテトラ酢酸の銅(II)錯体由来の中間体Cu⁰を経由したp型Cu₂O薄膜の生成機構

Formation Mechanism of p-Type Cu₂O Thin Films via Intermediate Cu⁰ Species Derived from Cu(II) Complex of Ethylenediamine-N,N,N′,N′-Tetraacetic Acid

著者 (6件)： NAGAI Hiroki (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI Tatsuya (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  MOCHIZUKI Chihiro (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  TAKANO Ichiro (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HONDA Tohru (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  SATO Mitsunobu (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Science of Advanced Materials  (Science of Advanced Materials)
巻： 6  号： 3  ページ： 603-611  発行年： 2014年03月 
JST資料番号： W2374A  ISSN： 1947-2935  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子前駆体法(MPM)法を使用してCu₂O薄膜作製の反応機構を解明するために反応速度論的研究を行いCu₂Oの安定性をXRD,AESおよびXPSによって解析した。MPMを使用したCu₂Oの生成がCu(II)錯体を含む分子前駆体の熱分解によって予期しない中間体Cu⁰を経由して起こることを初めて明らかにした。Cu(II)錯体から生成したCu⁰の活性化エネルギーは1.5×10²kJ mol_-1であった。生成Cu₂O相の安定性を調べるために,Cu₂OからCuO相への酸化の反応速度を450~475°Cの温度範囲で測定した。p型Cu₂O薄膜の品質は生成機構に強く依存し,中間体Cu相中の窒素と炭素原子の共存の重要性を議論した。

シソーラス用語： 銅錯体 ,  *P型半導体 ,  *酸化第一銅 ,  *前駆体 ,  *薄膜 ,  機構 ,  *反応速度論 ,  反応機構 ,  銅 ,  安定性 ,  反応速度 ,  活性化エネルギー ,  中間体 ,  脂肪族アミン ,  脂肪族カルボン酸 ,  アミノカルボン酸 ,  ジアミン
準シソーラス用語： 生成機構

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： エチレンジアミンテトラ酢酸

タイトルに関連する用語 (6件)： エチレンジアミンテトラ酢酸 ,  銅 ,  錯体 ,  中間体 ,  Cu2O ,  薄膜