文献

J-GLOBAL ID：201402296971193008   整理番号：14A1099275

多波長InAs量子ドットの高次励起準位間発光を用いた電流注入型超広帯域近赤外光源

著者 (9件)： 保田拓磨 (和歌山大 シス工) ,  柴田弘 (和歌山大 シス工) ,  大河内俊介 (NEC) ,  池田直樹 (物質・材料研究機構) ,  大里啓孝 (物質・材料研究機構) ,  渡辺英一郎 (物質・材料研究機構) ,  杉本喜正 (物質・材料研究機構) ,  HOGG R.A. (シェフィールド大) ,  尾崎信彦 (和歌山大 シス工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.18P-C6-14  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *赤外光源 ,  近赤外線 ,  広帯域 ,  注入 ,  電流 ,  *ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  *量子ドット ,  波長 ,  励起状態 ,  発光 ,  *半導体薄膜 ,  多波長
準シソーラス用語： 超広帯域 ,  電流注入

分類 (2件)： 光源  (BD07020D) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多波長 ,  InAs量子ドット ,  電流注入 ,  広帯域 ,  近赤外光