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J-GLOBAL ID：201402298594848765   整理番号：14A1190666

交互積層熱処理法およびRFマグネトロンスパッタ法による石英ガラス上熱電Si:B/SiGe多層構造の形成

Preparation of thermoelectric Si:B/SiGe multilayer structures on quartz glasses by RF-magnetron sputtering with layer-by-layer annealing methods

著者 (5件)： OOKURA Takuya (Nagaoke Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  TOYOTA Hideyuki (Nagaoke Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  TAKEDA Masatoshi (Nagaoke Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  KAMBAYASHI Toshio (Nagaoke Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  UCHITOMI Naotaka (Nagaoke Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 8  ページ： 087102.1-087102.5  発行年： 2014年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者等は,石英ガラス基板上にスパッタ堆積したホウ素ドープSi/Si0.8Ge0.2(Si:B/SiGe)多層膜を準備し,それらの構造及び熱的特性を調べた。従来の全層熱処理法および交互積層処理法を用いて,これらの試料を処理した。交互積層熱処理したSi:B/SiGe多層試料は,従来法で熱処理した試料(全層熱処理)と比較して明確に定義された界面を有する優れた周期性を示した。しかし,交互積層熱処理工程中に,基板近傍のSiGe層が長い積算熱処理時間を被るため,Geの拡散が基板近傍の界面で観察された。交互積層熱処理したSi:B/SiGe多層は50から800°Cまでの広い温度範囲で熱的に安定な熱電特性を示した。本実験では,交互積層熱処理法が,Si:B/SiGe多層マイクロ熱電デバイスに安定した信頼性の高い熱電特性を達成するための有効な方法であることを証明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 複合膜 ,  *熱処理 ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  基板 ,  石英ガラス ,  *多層膜 ,  *ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  *固溶体 ,  半導体薄膜 ,  *ドーピング ,  ホウ素 ,  界面 ,  熱電気変換 ,  *熱電素子
準シソーラス用語： 交互積層膜 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  マイクロ熱電デバイス

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

引用文献 (28件)：

• H. J. Goldsmid, Thermoelectric Refrigeration (Plenum, New York, 1964) Chap. 3.
• D. A. Wright, Nature 181, 834 (1958).
• B. C. Sales, D. Mandrus, and R. K. Williams, Science 272, 1325 (1996).
• N. Uchitomi, N. Nishino, A. Mori, M. Takeda, and Y. Jinbo, Thin Solid Films 461, 174 (2004).
• X. Hu, D. Mayson, and M. R. Barnett, J. Alloys Compd. 589, 485 (2014).

タイトルに関連する用語 (7件)： 交互積層 ,  熱処理法 ,  RFマグネトロンスパッタ法 ,  石英ガラス ,  Si ,  SiGe ,  多層構造