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J-GLOBAL ID：201402299466496100   整理番号：14A0371550

集光型赤外線加熱炉を用いたハーフインチシリコンCVD装置(2)

著者 (8件)： LI N. (横浜国大 大学院) ,  羽深等 (横浜国大 大学院) ,  池田伸一 (ミニマルファブ技術研究組合) ,  池田伸一 (産業技術総合研) ,  石田夕起 (ミニマルファブ技術研究組合) ,  石田夕起 (産業技術総合研) ,  原史朗 (ミニマルファブ技術研究組合) ,  原史朗 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19P-E14-16  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *化学蒸着 ,  *半導体プロセス ,  *蒸着装置 ,  集光 ,  赤外線加熱 ,  加熱炉 ,  *薄膜成長 ,  ケイ素化合物 ,  塩化ケイ素 ,  基板温度 ,  トリクロロシラン ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： Siウエハ ,  半導体製造装置

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 集光 ,  赤外線加熱 ,  CVD装置