特許
J-GLOBAL ID:201403001247685121

薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-056905
公開番号(公開出願番号):特開2013-016777
特許番号:特許第5619804号
出願日: 2012年03月14日
公開日(公表日): 2013年01月24日
請求項(抜粋):
【請求項1】 ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む薄膜トランジスタにおいて、 前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置され、 前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続され、 前記半導体層は一つのチャネルを有し、該チャネルは前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に位置し、 前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記半導体層と絶縁状態で設置され、 前記絶縁層は、弾性率が0.1MPa〜10MPaである高分子材料からなり、 前記半導体層は、半導体性を有するカーボンナノチューブ構造体からなり、 前記カーボンナノチューブ構造体は、複数のカーボンナノチューブのみからなり、 前記カーボンナノチューブ構造体は、少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルム、又は前記カーボンナノチューブフィルム及びカーボンナノチューブワイヤの組み合わせにより形成され、 前記少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムは、超配列カーボンナノチューブアレイから引き出して得られたドローン構造カーボンナノチューブフィルムであることを特徴とする圧力センサー用の薄膜トランジスタ。
IPC (4件):
H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  G01L 9/00 ( 200 6.01) ,  H01L 29/84 ( 200 6.01)
FI (5件):
H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/06 601 N ,  G01L 9/00 309 ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/84 C
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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