特許
J-GLOBAL ID:201403001247685121
薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサー
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
村山 靖彦
, 志賀 正武
, 渡邊 隆
, 実広 信哉
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-056905
公開番号(公開出願番号):特開2013-016777
特許番号:特許第5619804号
出願日: 2012年03月14日
公開日(公表日): 2013年01月24日
請求項(抜粋):
【請求項1】 ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む薄膜トランジスタにおいて、
前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置され、
前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続され、
前記半導体層は一つのチャネルを有し、該チャネルは前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に位置し、
前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記半導体層と絶縁状態で設置され、
前記絶縁層は、弾性率が0.1MPa〜10MPaである高分子材料からなり、
前記半導体層は、半導体性を有するカーボンナノチューブ構造体からなり、
前記カーボンナノチューブ構造体は、複数のカーボンナノチューブのみからなり、
前記カーボンナノチューブ構造体は、少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルム、又は前記カーボンナノチューブフィルム及びカーボンナノチューブワイヤの組み合わせにより形成され、
前記少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムは、超配列カーボンナノチューブアレイから引き出して得られたドローン構造カーボンナノチューブフィルムであることを特徴とする圧力センサー用の薄膜トランジスタ。
IPC (4件):
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, G01L 9/00 ( 200 6.01)
, H01L 29/84 ( 200 6.01)
FI (5件):
H01L 29/78 617 T
, H01L 29/06 601 N
, G01L 9/00 309
, H01L 29/78 613 Z
, H01L 29/84 C
引用特許:
出願人引用 (4件)
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圧力センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-377071
出願人:キヤノン株式会社
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圧力センサの特性測定装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-112118
出願人:松下電工株式会社
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薄膜トランジスタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-181407
出願人:ツィンファユニバーシティ, 鴻海精密工業股ふん有限公司