特許
J-GLOBAL ID：201403001451291280
半導体光集積素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-230668
公開番号（公開出願番号）：特開2014-082411
出願日： 2012年10月18日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
要約：
【課題】信頼性と作製歩留まりが高い、リッジ導波路型半導体光集積素子を提供する。【解決手段】第一半導体光素子201は、光を発生あるいは吸収する活性層3を含む複数層からなる第一コア層2と、第一コア層2の上方に位置するエッチング停止層4と、を含んで半導体基板1上に形成される。第二半導体光素子202は、第二コア層7を含んで半導体基板1上に形成される。第一コア層2の第二コア層7と対向する側面と、第二コア層7の第一コア層2と対向する側面と、に接するように、側壁形状制御層6が半導体基板1上に形成される。側壁形状制御層6は、第一コア層2よりも少ない数の層からなる。エッチング停止層4は、第一コア層2の上面から側壁形状制御層6の上面に至るように配置されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第一半導体光素子及び第二半導体光素子が、光軸を揃え突き合わせ接続して形成されたリッジ導波路型半導体光集積素子であって、
前記第一半導体光素子は、光を発生あるいは吸収する活性層を含む複数層からなる第一コア層と、前記第一コア層の上方に位置するエッチング停止層と、を含んで前記半導体基板上に形成され、
前記第二半導体光素子は、第二コア層を含んで前記半導体基板上に形成され、
前記第一コア層の前記第二コア層と対向する側面と、前記第二コア層の前記第一コア層と対向する側面と、に接するように、側壁形状制御層が前記半導体基板上に形成され、
前記側壁形状制御層は、前記第一コア層よりも少ない数の層からなり、
前記エッチング停止層は、前記第一コア層の上面から前記側壁形状制御層の上面に至るように配置されていることを特徴とするリッジ導波路型半導体光集積素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F173AA08
, 5F173AB13
, 5F173AD14
, 5F173AD16
, 5F173AD17
, 5F173AH14
, 5F173AP05
, 5F173AP16
, 5F173AP32
, 5F173AR52
, 5F173AR93
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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