特許

J-GLOBAL ID：201403001515124731

電極パッドを有する発光ダイオードチップ

発明者： キム, イェ セウル ,  キム, キョウン ワン ,  ユン, ヨ ジン ,  リ, ジン ウーン ,  ジェオン, ダ ヨン ,  ウー,サン ウォン ,  リ, クム ジェ ,  オウ, サン ヒュン
出願人/特許権者： ソウル バイオシス カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-539730
公開番号（公開出願番号）：特表2014-500624
出願日： 2011年02月28日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
要約：

電極パッドを有する発光ダイオードチップを開示する。この発光ダイオードチップは、第1の導電型半導体層、該第1の導電型半導体層上に位置する第2の導電型半導体層、及び前記第1の導電型半導体層と前記第2の導電型半導体層との間に介在した活性層を含む半導体積層構造体と、前記第1の導電型半導体層に対向して前記第2の導電型半導体層上に位置する第1の電極パッドと、前記第1の電極パッドから延長し、前記第1の導電型半導体層に接続された第1の電極延長部と、前記第2の導電型半導体層に電気的に接続された第2の電極パッドと、前記第1の電極パッドと前記第2の導電型半導体層との間に介在した絶縁層を含む。第1の電極パッドを第2の導電型半導体層上に配置することによって発光面積を増加させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の導電型半導体層、該第1の導電型半導体層上に位置する第2の導電型半導体層、及び前記第1の導電型半導体層と前記第2の導電型半導体層との間に介在した活性層を含む半導体積層構造体と、 前記第1の導電型半導体層に対向して前記第2の導電型半導体層上に位置する第1の電極パッドと、 前記第1の電極パッドから延長して前記第1の導電型半導体層に接続された第1の電極延長部と、 前記第2の導電型半導体層に電気的に接続された第2の電極パッドと 前記第1の電極パッドと前記第2の導電型半導体層との間に介在した絶縁層とを含む発光ダイオードチップ。

IPC (1件)：

H01L 33/38

FI (1件)：

H01L33/00 210

Fターム (8件)：

5F141AA03 ,  5F141AA04 ,  5F141AA21 ,  5F141CA40 ,  5F141CA88 ,  5F141CA93 ,  5F141CB11 ,  5F141CB15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-290233   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体チップ及び半導体チップ製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-180584   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 半導体発光素子及びこれを備えた発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-044770   出願人：日亜化学工業株式会社