特許
J-GLOBAL ID：200903006990718796

半導体発光素子及びこれを備えた発光装置

発明者：
市原 隆志

市原 隆志 について

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北台 佑馬

北台 佑馬 について

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湯浅 拓

湯浅 拓 について

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山田 孝夫

山田 孝夫 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 豊栖 康司 ,  豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-044770
公開番号（公開出願番号）：特開2008-210900
出願日： 2007年02月24日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：
【課題】パッド電極により吸収されていた光の損失を低減し、特性を向上させた発光装置を提供することにある。【解決手段】半導体発光素子1と蛍光体等の波長変換部材を有する発光装置30において、半導体発光素子1の同一面側に設けられるp型パッド電極10a及びn型パッド電極20aの最表面層に、反射層10c、20cを設ける。これにより半導体発光素子1の発光層4より出射された出射光Lが、蛍光体に反射されて半導体発光素子1側へと進行方向を変えた戻り光を、パッド電極の反射層10c、20cでもって光視認側へと導光できる。すなわち半導体発光素子への光吸収を低減でき、発光装置の光取り出し効率が向上する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体発光素子(1)と、 前記半導体発光素子(1)が発する光を反射または散乱可能な光散乱部材(33)とを備える発光装置であって、 前記半導体発光素子(1)は、 第1導電型の半導体層(3)と、 前記第1導電型半導体層(3)上の少なくとも一部に形成された発光層(4)と、 前記発光層(4)の上に形成された第2導電型の半導体層(5)と、 前記第2導電型の半導体層(5)上の少なくとも一部に設けられ、且つ前記第2導電型の半導体層(5)に電流を供給する第2導電型電極(10)と、 が順次積層されて成り、 前記第1導電型半導体層(3)上の少なくとも一部であって、前記第2導電型電極(10)と同一面側に配置され、該第1導電型半導体層(3)に電流を供給する第1導電型電極(20)と、 前記半導体発光素子(1)の積層方向において、前記第1導電型電極(20)及び第2導電型電極(10)の少なくともいずれか一の電極は、表面側の反射層(20c,10c)と、該反射層(20c,10c)の下層側に位置する第1層からなる少なくとも2層から形成されており、 前記反射層(20c,10c)の反射率は、前記第1層の反射率よりも高く、 前記反射層(20c,10c)の反射側と、前記半導体発光素子(3)の光出射側は同一面側であり、かつ前記光散乱部材を含有する封止部材(36)で封止されてなることをことを特徴とする発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (7件)：
5F041AA03 ,  5F041CA14 ,  5F041CA40 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA34 ,  5F041EE23
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-292395   出願人：松下電工株式会社
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-179653   出願人：松下電工株式会社
審査官引用 (2件)

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