特許
J-GLOBAL ID：200903014450219220
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
鮫島 睦
, 田村 恭生
, 田村 啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-290233
公開番号（公開出願番号）：特開2008-108905
出願日： 2006年10月25日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：
【課題】発光強度を高めることのできる電流拡散用配線を有する発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、第1導電型半導体層14と第2導電型半導体層18を積層した半導体積層体13と、前記第1導電型半導体層14と電気的に接続された第1電極30と、 前記第2導電型半導体層18の上面側に形成された第2電極32と、を備える半導体発光素子10であって、前記第2導電型半導体18の上面側には、銅よりも反射率の高い金属材料から成る反射層34と、銅から成る低抵抗層36と、銅よりも耐酸化性に優れた金属材料から成る保護層38と、の少なくとも3層を積層して成る電流拡散用配線26が形成されており、前記電流拡散用配線26は、前記第2電極32と電気的に接続されており、前記低抵抗層36の側面は、前記保護層38によって被覆されていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に第1導電型半導体層と第2導電型半導体層とを順次積層した半導体積層体と、
前記半導体層の一部を切除して前記半導体層の上面側に前記第1導電型半導体層を露出させた露出部と、
前記露出部の第1導電型半導体層と電気的に接続した第1電極と、
前記第2導電型半導体層と電気的に接続した第2電極と、を備える半導体発光素子であって、
前記切除部の上面側又は前記第2導電型半導体の上面側のいずれか一方に、
銅よりも反射率の高い金属材料から成る反射層と、
銅から成る低抵抗層と、
銅よりも耐酸化性に優れた金属材料から成る保護層と、の少なくとも3層を積層して成る第1電流拡散用配線が形成されており、
前記第1電流拡散用配線は、前記第1電極又は前記第2電極のいずれか一方と電気的に接続されており、
前記低抵抗層の側面は、前記保護層によって被覆されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA21
, 5F041CA40
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041CA93
, 5F041CA98
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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