特許
J-GLOBAL ID：201403001710201422

パワーモジュール半導体装置

発明者：
大嶽 浩隆

大嶽 浩隆 について

, 
花田 俊雄

花田 俊雄 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (3件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-165858
公開番号（公開出願番号）：特開2013-258387
出願日： 2012年07月26日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
要約：
【課題】薄型で作ったSiCパワーモジュールの小型、軽量化可能なパワーモジュール半導体装置を提供する。【解決手段】セラミック基板10と、セラミック基板10の表面上に配置された第1銅プレート層の第1パターンD(K4)と、第1パターンD(K4)上に配置された第1半導体デバイスと、第1パターンD(K4)上に配置された第1柱状接続電極18oと、第1柱状接続電極18oに接続された出力端子Oとを備えるパワーモジュール半導体装置。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
セラミック基板と、 前記セラミック基板の表面上に配置された第1銅プレート層の第1パターンと、 前記第1パターン上に配置された第1半導体デバイスと、 前記第1パターン上に配置された第1柱状接続電極と、 前記第1柱状接続電極に接続された出力端子と を備えることを特徴とするパワーモジュール半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1件)：
H01L25/04 C
引用特許：
審査官引用 (6件)
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