特許
J-GLOBAL ID：201403001738629720

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
鎌田 義彦

鎌田 義彦 について

, 
田畑 浩司

田畑 浩司 について

, 
浜野 倫行

浜野 倫行 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (13件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  峰 隆司 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-059144
公開番号（公開出願番号）：特開2014-186763
出願日： 2013年03月21日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：
【課題】書き込み動作を行いつつ、同時にベリファイ結果を外部転送可能とするセンスアンプを提供すること。【解決手段】メモリセルを含むメモリセルアレイと、書き込みデータを保持可能なラッチ部(SDL)及び検知部(DTCT)を備え、前記書き込みデータに応じて第1電圧(0V)、または前記第1電圧よりも高い第2電圧(VDDSA)のいずれかをビット線に転送するセンスアンプとを備え、前記センスアンプは、ベリファイ結果に応じて前記第1電圧または前記第2電圧のいずれかを第3電圧として前記ビット線に転送しつつ、前記第3電圧を前記検知部に転送する。【選択図】図6A
請求項（抜粋）：
メモリセルを含むメモリセルアレイと、 書き込みデータを保持可能なラッチ部及び検知部を備え、前記書き込みデータに応じて第1電圧、または前記第1電圧よりも高い第2電圧のいずれかをビット線に転送するセンスアンプと を備え、 前記センスアンプは、ベリファイ結果に応じて前記第1電圧または前記第2電圧のいずれかを第3電圧として前記ビット線に転送しつつ、前記第3電圧を前記検知部に転送する ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/02
FI (6件)：
G11C17/00 634C ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 611E ,  G11C17/00 634G ,  G11C17/00 633D ,  G11C17/00 634F
Fターム (32件)：
5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA01 ,  5B125CA16 ,  5B125CA19 ,  5B125DB02 ,  5B125DB08 ,  5B125DB12 ,  5B125DB18 ,  5B125DC03 ,  5B125DE13 ,  5B125DE14 ,  5B125EA05 ,  5B125EA10 ,  5B125EB10 ,  5B125EC06 ,  5B125ED04 ,  5B125ED06 ,  5B125ED07 ,  5B125ED09 ,  5B125ED10 ,  5B125EE04 ,  5B125EE09 ,  5B125EE12 ,  5B125EE18 ,  5B125EE20 ,  5B125EG02 ,  5B125EG04 ,  5B125EJ02 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02 ,  5B125FA06
引用特許：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM