特許
J-GLOBAL ID：201403001842406996
多層フッ素樹脂基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-068807
公開番号（公開出願番号）：特開2013-126778
特許番号：特許第5610018号
出願日： 2013年03月28日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】(A)フッ素樹脂層/(B)ポリイミド樹脂層/(A)フッ素樹脂層がこの順に積層されてなる多層フッ素樹脂フィルムと、セラミック基板、ガラス基板、および半導体基板からなる群より選択されてなる基板とが積層された多層フッ素樹脂基板で、該(A)層がテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(EPE)のいずれかからなる層であり、該(B)層が、ポリイミドベンゾオキサゾール成分を有するポリイミドの層であり、該(A)層が官能基含有熱可塑性フッ素樹脂の層であるか又は該(B)層がプラズマ処理されたポリイミドの層であり、該(A)層の厚みが1.0μm〜20μmであり、かつ該(B)層の厚みが1.0μm〜75μmである該多層フッ素樹脂基板を250°C、24時間加熱処理した後の、該多層フッ素樹脂フィルムと基板の剥離強度が5N/cm以上であることを特徴とする多層フッ素樹脂基板。
IPC (4件)：
B32B 27/30 ( 200 6.01)
, B32B 27/34 ( 200 6.01)
, B32B 17/10 ( 200 6.01)
, B32B 18/00 ( 200 6.01)
B32B 27/30 D
, B32B 27/34
, B32B 17/10
, B32B 18/00 C
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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