特許
J-GLOBAL ID：201403002055129175
光電変換素子および光電変換モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-196328
公開番号（公開出願番号）：特開2014-053150
出願日： 2012年09月06日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：
【課題】熱ストレスが与えられても光電変換効率が低下し難い光電変換素子の提供。【解決手段】光電変換素子では、光透過性材料を含む支持体と、透明導電層と、第1の多孔性半導体層を含む光電変換層と、対極導電層とが順に設けられている。光電変換層と対極導電層との間には、キャリア輸送材料が設けられている。光電変換層の対極導電層側に位置する表面の少なくとも一部には、耐熱層が設けられおり、耐熱層は、光電変換層よりも耐熱性に優れる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光透過性材料を含む支持体と、透明導電層と、第1の多孔性半導体層を含む光電変換層と、対極導電層とが順に設けられ、前記光電変換層と前記対極導電層との間にはキャリア輸送材料が設けられた光電変換素子であって、
前記光電変換層の前記対極導電層側に位置する表面の少なくとも一部には、耐熱層が設けられ、
前記耐熱層は、前記光電変換層よりも耐熱性に優れる光電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
5F151AA14
, 5F151BA18
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032CC09
, 5H032CC11
, 5H032CC16
, 5H032EE00
, 5H032EE02
, 5H032EE07
, 5H032EE18
, 5H032HH04
, 5H032HH05
