特許
J-GLOBAL ID：201403003320789057

プッシュプル型ブリッジ磁気抵抗センサ

発明者：
ディーク、ジェイムス ジーザ

ディーク、ジェイムス ジーザ について

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ジン、インシク

ジン、インシク について

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シェン、ウェイフォン

シェン、ウェイフォン について

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シュエ、ソンシュン

シュエ、ソンシュン について

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レイ、シャオフォン

レイ、シャオフォン について

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ジャン、シャオジュン

ジャン、シャオジュン について

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リ、ドンフォン

リ、ドンフォン について


出願人/特許権者：
ジャンス マルチディメンショナル テクノロジー シーオー., エルティーディー

ジャンス マルチディメンショナル テクノロジー シーオー., エルティーディー について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-555738
公開番号（公開出願番号）：特表2014-508296
出願日： 2012年03月02日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
要約：
磁気トンネル接合を用いたマルチチップ・プッシュプル型磁気抵抗ブリッジセンサが開示される。上記磁気抵抗ブリッジセンサは、半導体パッケージ内に配置される2つ以上の磁気トンネル接合センサチップから構成されている。上記半導体パッケージ表面に平行な各検出軸に対して、上記センサチップは、それぞれの基準方向が互いに逆向きになるように並べられている。上記センサチップは、プッシュプル型ハーフブリッジまたはホイートストン・ブリッジとして、ワイヤボンディングを用いて相互接続される。前記チップは、様々な標準半導体のリードフレームにワイヤボンディングされ、安価な標準半導体パッケージ内に実装される。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
1対以上のMTJ磁気抵抗センサチップまたはGMR磁気抵抗センサチップを備えた単一パッケージプッシュプル型ハーフブリッジ磁界センサであって、 前記MTJ磁気抵抗センサチップまたはGMR磁気抵抗センサチップは、各対において一方が他方に対して180度回転しており、かつ標準半導体パッケージのリードフレームに接着されており、 各前記MTJ磁気抵抗センサチップまたはGMR磁気抵抗センサチップは、単一の磁気抵抗素子として、又は、複数のMTJ磁気抵抗素子またはGMR磁気抵抗素子として相互接続された1つ以上のMTJセンサ素子またはGMRセンサ素子を含み、前記単一の素子または前記複数の素子はブリッジアームと称され、 前記MTJ磁気抵抗素子またはGMR磁気抵抗素子は、それぞれの磁気抵抗伝達曲線のある部分にわたって印加磁界に線形的に比例する抵抗を有し、 各前記MTJ磁気抵抗センサチップまたはGMR磁気抵抗センサチップは、実質的に同じRH値およびRL値を有し、 前記MTJ磁気抵抗センサチップまたはGMR磁気抵抗センサチップのボンドパッドは、2つ以上のワイヤボンドが前記ブリッジアームの各側に取り付けられるように設計されており、 プッシュプル型ハーフブリッジセンサを製造するために、前記MTJ磁気抵抗センサチップまたはGMR磁気抵抗センサチップは互いにワイヤボンディングされ、前記半導体パッケージのリードフレームにもワイヤボンディングされていることを特徴とする単一パッケージプッシュプル型ハーフブリッジ磁界センサ。
IPC (1件)：
G01R 33/09
FI (1件)：
G01R33/06 R
Fターム (5件)：
2G017AA01 ,  2G017AB09 ,  2G017AD55 ,  2G017BA09 ,  2G017CB01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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