特許
J-GLOBAL ID：200903005163048202

半導体装置

発明者：
佐伯 吉浩

佐伯 吉浩 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-093317
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180594
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：
【課題】ボンディングパッドの配置変換を簡易的確に行う。【解決手段】ダイパッド31上には、複数個のボンディングパッド41を有する半導体チップ40が固着されている。半導体チップ40上には、中継チップ50が固着されている。中継チップ50は、複数個のボンディングパッド51を有し、この複数個のボンディングパッド51が、多層配線構造の配線パターン52によって相互に接続され、半導体チップ40側のボンディングパッド41の配置を異なる方向に変換する。ボンディングパッド41は、ワイヤ61によってボンディングパッド51に接続され、このボンディングパッド51が、ワイヤ62によってリードフレーム30側のボンディングパッド33に接続されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の電極が配置された半導体チップ搭載用の基板と、 前記基板上に搭載され、第1のボンディングパッドが複数配置されたシリコン基板を用いてなる半導体チップと、 前記半導体チップ上に前記第1のボンディングパッドを露出するように搭載され、第2のボンディングパッドと第3のボンディングパッドと該第2のボンディングパッドと該第3のボンディングパッドとを電気的に接続する配線とが複数配置されたシリコン基板を用いてなる中継チップと、 前記第1のボンディングパッドと前記第2のボンディングパッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第1のワイヤと、 前記電極と前記第3のボンディングパッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第2のワイヤとを有し、 前記中継チップは、シリコン基板上に前記配線が層間絶縁膜を介して積層された多層配線構造を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 21/60
FI (1件)：
H01L21/60 301B
Fターム (4件)：
5F044AA01 ,  5F044AA10 ,  5F044AA20 ,  5F044JJ03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-021263   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-214615   出願人：沖電気工業株式会社

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