特許

J-GLOBAL ID：201403003807434114

光素子及びその製造方法

発明者： 若葉 昌布
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-082261
公開番号（公開出願番号）：特開2014-207258
出願日： 2013年04月10日
公開日（公表日）： 2014年10月30日
要約：

【課題】2つのIII-V族化合物半導体層の界面に光を吸収する遷移層が形成されるのを防止することができる光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】第1のIII族元素および第1のV族元素を含む第1半導体層120と、第1半導体層の上方に形成され、第2のIII族元素および第2のV族元素を含む第2半導体層130と、第1半導体層と第2半導体層との間に形成され、第2のIII族元素および第1のV族元素を含む中間層170とを備え、同一の温度条件で、第2のIII族元素および第1のV族元素を含む化合物の熱力学的平衡定数が、第1のIII族元素および第2のV族元素を含む化合物の熱力学的平衡定数より大きい光素子。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

少なくとも第1のIII族元素および第1のV族元素を含む第1化合物半導体層と、 前記第1化合物半導体層の上方に形成され、少なくとも第2のIII族元素および第2のV族元素を含む第2化合物半導体層と、 前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層との間に形成され、少なくとも前記第2のIII族元素および前記第1のV族元素の化合物を含む中間層と を備え、 同一の温度条件で、前記第2のIII族元素および前記第1のV族元素を含む化合物の熱力学的平衡定数が、前記第1のIII族元素および前記第2のV族元素を含む化合物の熱力学的平衡定数より大きい 光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/323 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01L21/205

Fターム (13件)：

5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045CA09 ,  5F045DA52 ,  5F045EE18 ,  5F173AH14 ,  5F173AP06 ,  5F173AQ20 ,  5F173AR12 ,  5F173AR75 ,  5F173AR82

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-002139   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平4-191817
  
• 半導体素子の製造方法および半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-389280   出願人：日本電気株式会社