特許
J-GLOBAL ID：200903076594962976

半導体装置およびその製造方法

発明者：
横山 春喜

横山 春喜 について

, 
榎木 孝知

榎木 孝知 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002139
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204437
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 InPからなる基板を用いた化合物半導体よりなるHEMTなどの半導体装置において、特性劣化の原因となる欠陥の発生を抑制する。【解決手段】 InPからなる基板101上に、InAlPからなる保護層101aを新たに備え、その上にInAlAsからなるバッファ層102が形成されているようにする。
請求項（抜粋）：
インジウムリンからなる基板と、この上に配置されかつヒ素を含む化合物半導体材料からなる層とを少なくとも含む半導体装置において、少なくともリンを含み、リンの脱離速度がインジウムリンより遅い化合物半導体からなり、格子不整合によってミスフイット転位が発生する臨界膜厚未満の膜厚の保護層が前記基板表面に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H
引用特許：
審査官引用 (5件)
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