特許
J-GLOBAL ID:201403005397381029

応力を加えたSiN膜用アミノ・ビニルシラン前駆体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  蛯谷 厚志
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-214658
公開番号(公開出願番号):特開2013-016859
特許番号:特許第5508496号
出願日: 2012年09月27日
公開日(公表日): 2013年01月24日
請求項(抜粋):
【請求項1】 窒素含有気体と、以下の式: [RR1N]xSiR3y(R2)z {式中、x+y+z=4、x=1〜3、y=0〜2、及びz=1〜3であり;R、R1及びR3が、水素、C1〜C10アルカン、C2〜C10アルケン、又はC4〜C12芳香族から選択され;各R2が、ビニル、アリル、又はビニル含有官能基である。}を有する前駆体〔ビス(ジメチルアミノ)メチルビニルシランを除く。〕とを反応させることを含む、窒化シリコン薄膜又は炭窒化シリコン薄膜の堆積方法。
IPC (3件):
H01L 21/318 ( 200 6.01) ,  C23C 16/34 ( 200 6.01) ,  C23C 16/36 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 21/318 B ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/36
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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