特許

J-GLOBAL ID：201403005721410312

金属酸化物膜、半導体装置

発明者： 遠藤 佑太
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-268875
公開番号（公開出願番号）：特開2014-199416
出願日： 2013年12月26日
公開日（公表日）： 2014年10月23日
要約：

【課題】開口率が高い半導体装置を提供する。【解決手段】窒化絶縁膜110と、窒化絶縁膜上に形成されたトランジスタ103と、窒化絶縁膜上に形成された一対の電極を有する容量素子105と、を有し、トランジスタのチャネル形成領域、および容量素子105の一方の電極は酸化物半導体層で形成され、容量素子105の他方の電極は透光性導電膜で形成され、容量素子105の一方の電極は窒化絶縁膜と接し、容量素子105の他方の電極はトランジスタに含まれるソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

トランジスタを有する半導体装置であって、 第1の絶縁膜上に形成されたゲート電極層、第1の配線、および当該第1の配線と電気的に接続された第1の酸化物半導体層と、 前記ゲート電極層、および前記第1の配線上に形成された第2の絶縁膜と、 前記ゲート電極層と重なり、前記第2の絶縁膜上に形成された第2の酸化物半導体層と、 前記第2の酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層およびドレイン電極層と、 前記第1の酸化物半導体層、前記第2の酸化物半導体層、前記第2の絶縁膜、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層上に形成された第3の絶縁層と、 前記第3の絶縁層上に形成された第4の絶縁層と、 前記第1の酸化物半導体層上において、前記第4の絶縁層上に形成された透光性導電膜と、 を有し、 前記第1の酸化物半導体層を一方の電極とし、前記第3の絶縁膜、および前記第4の絶縁膜を誘電体とし、前記透光性導電膜を他方の電極とした容量素子と、 を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

G02F 1/136 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/50 ,  G09F 9/30

FI (7件)：

G02F1/1368 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 619A ,  H05B33/14 A ,  G09F9/30 338

Fターム (133件)：

2H192AA24 ,  2H192CB05 ,  2H192CB08 ,  2H192CB37 ,  2H192CB56 ,  2H192CB83 ,  2H192DA12 ,  2H192DA44 ,  2H192EA67 ,  2H192EA74 ,  2H192FA73 ,  2H192FB02 ,  2H192FB15 ,  2H192FB22 ,  2H192FB46 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC14 ,  3K107CC21 ,  3K107CC36 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107FF19 ,  5C094AA10 ,  5C094AA22 ,  5C094AA25 ,  5C094AA31 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA10 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB16 ,  5C094FB19 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5C094HA08 ,  5C094JA03 ,  5C094JA20 ,  5F110AA06 ,  5F110AA09 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HL23 ,  5F110HL27 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-198181   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-281554   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-255613   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所