特許
J-GLOBAL ID：201203080264924655

半導体装置、及び半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-281554
公開番号（公開出願番号）：特開2012-151461
出願日： 2011年12月22日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：
【課題】高速動作可能な半導体装置を提供する。また、短チャネル効果による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタの半導体層に結晶性を有する酸化物半導体を用い、該半導体層にチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域を形成する。ソース領域及びドレイン領域は、ゲート電極をマスクとして、半導体層に第15族元素のうち一種類または複数種類の元素を添加する自己整合プロセスにより形成する。ソース領域及びドレイン領域に、ウルツ鉱型の結晶構造を付与することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
結晶性を有する酸化物半導体層と、ゲート絶縁層と、ゲート電極を有し、 前記酸化物半導体層は、第1の酸化物半導体領域と、一対の第2の酸化物半導体領域を有し、 前記一対の第2の酸化物半導体領域は、前記第1の酸化物半導体領域を挟んで形成され、 前記第1の酸化物半導体領域は、前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極と重畳していることを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  C23C 14/08
FI (14件)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 616M ,  H01L29/78 618E ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/10 441 ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 681F ,  H01L27/10 621Z ,  C23C14/08 K
Fターム (145件)：
4K029BA45 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DA09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029FA09 ,  4K029GA01 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083BS02 ,  5F083BS06 ,  5F083BS10 ,  5F083BS11 ,  5F083BS12 ,  5F083BS14 ,  5F083BS18 ,  5F083BS21 ,  5F083BS22 ,  5F083BS23 ,  5F083BS24 ,  5F083BS27 ,  5F083GA01 ,  5F083GA02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA44 ,  5F083LA00 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F083ZA15 ,  5F110AA04 ,  5F110AA07 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110BB08 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110CC06 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK21 ,  5F110HL02 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL09 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (5件)
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