液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-198181
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084865
出願日： 2011年09月12日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：

【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離してじん性の高い第1の支持体に移し替え、第1の支持体及びじん性の高い第2の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に第1の導電層を形成し、前記第1の導電層上に第1のレジストマスクを形成し、前記第1のレジストマスクを用いて前記第1の導電層を選択的に除去してゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁層となる第1の絶縁層を形成し、前記第1の絶縁層上に半導体層を形成し、前記半導体層上に第2の導電層を形成し、前記第2の導電層上に第2のレジストマスクを形成し、前記第2のレジストマスクを用いて前記第2の導電層を選択的に除去してソース電極及びドレイン電極を形成することで、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を有するトランジスタを形成し、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記半導体層を覆う状態に保護絶縁層となる第2の絶縁層を形成し、前記第2の絶縁層上に第3のレジストマスクを形成し、前記第3のレジストマスクを用いて前記ドレイン電極と重畳する前記第2の絶縁層の一部を選択的に除去して第1の開口部を形成すると同時に、前記ソース電極および前記ドレイン電極と重畳しない前記第2の絶縁層の一部、前記半導体層の一部および前記第1の絶縁層の一部を除去して第2の開口部を形成し、前記第1の開口部、前記第2の開口部および前記第2の絶縁層を覆う状態に第3の導電層を形成し、前記第3の導電層上に第4のレジストマスクを形成し、前記第4のレジストマスクを用いて前記第3の導電層を選択的に除去して第1の画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136

FI (5件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 627Z , H01L29/78 617M , H01L29/78 616V , G02F1/1368

Fターム (89件)：

2H092JA26 , 2H092JA46 , 2H092KA08 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092MA31 , 2H092NA23 , 2H092NA24 , 2H092NA27 , 2H092PA01 , 2H092QA06 , 2H092QA07 , 2H092QA09 , 2H092QA13 , 2H092QA14 , 5F110AA02 , 5F110AA06 , 5F110AA17 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HM04 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN34 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (9件)

液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-000420 出願人：三星電子株式会社
発光装置の作製方法及び液晶表示装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-281615 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
液晶表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-165603 出願人：エルジー.フィリップスエルシーデーカンパニー,リミテッド

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