特許
J-GLOBAL ID：201403006963453535
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-063742
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192197
出願日： 2013年03月26日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：
【課題】基板電位によらず、電界緩和が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】バイポーラトランジスタのコレクタ領域12を空乏化するため、コレクタ領域12と異なる導電型の埋め込み領域10と、この埋め込み領域10とコレクタ領域12を挟んで対向するように形成した低濃度の拡散領域14とをベース領域に共通接続する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体基板上に積層された一導電型の半導体層からなるコレクタ領域と、該コレクタ領域表面に形成された逆導電型の半導体層からなるベース領域と、該ベース領域表面に形成された一導電型の半導体層からなるエミッタ領域と、前記半導体基板表面に形成された前記エミッタ領域に接続するエミッタ電極と、前記ベース領域に接続するベース電極と、前記コレクタ領域に接続するコレクタ電極とを備えた半導体装置であって、
前記半導体基板と前記コレクタ領域との間に形成された逆導電型の半導体層からなる埋め込み領域と、前記エミッタ領域と前記コレクタ領域との間の前記コレクタ領域表面に形成された逆導電型の半導体領域と、前記埋め込み領域と前記半導体領域とを前記ベース電極に接続する接続領域とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/331
, H01L 29/732
5F003BA27
, 5F003BA91
, 5F003BJ03
, 5F003BP21
, 5F003BP31
, 5F003BP41
