特許
J-GLOBAL ID：201403007197842849
光電変換モジュールおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-022382
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154675
出願日： 2013年02月07日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
要約：
【課題】安価且つ簡便な構成でPID現象の抑制が可能な光電変換モジュールおよびその製造方法を得ること。【解決手段】受光面側の表面に絶縁膜が形成された結晶性半導体基板を用いた光電変換セル10が封止材33を介して受光面側保護ガラス31と裏面側保護部材32との間に封止された光電変換モジュール100であって、前記受光面側保護ガラス31と前記光電変換セル10との間に、窒化シリコンまたは窒化シリコンと酸化シリコンとを主成分としてなり内部に空隙を含有して窒化シリコンよりも密度の低い低密度層(多孔質窒化シリコン層41)を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
受光面側の表面に絶縁膜が形成された結晶性半導体基板を用いた光電変換セルが封止材を介して受光面側保護ガラスと裏面側保護部材との間に封止された光電変換モジュールであって、
前記受光面側保護ガラスと前記光電変換セルとの間に、窒化シリコンまたは窒化シリコンと酸化シリコンとを主成分としてなり内部に空隙を含有して窒化シリコンよりも密度の低い低密度層を備えること、
を特徴とする光電変換モジュール。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F151BA18
, 5F151CB13
, 5F151JA02
, 5F151JA03
, 5F151JA06
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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