特許

J-GLOBAL ID：201403007317552068

光電子素子、および層をドーピングするためのドーピング材料としての銅錯体の使用

発明者： カーステン ホイザー ,  ズィルケ シャーナー ,  シュテファン ザイデル
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (2件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  久野 琢也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-503046
公開番号（公開出願番号）：特表2014-513419
出願日： 2012年03月01日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
要約：

種々の実施例において、湿式化学法によるホール注入層(508); および、前記湿式化学法によるホール注入層(508)に隣接する、ドーピング材料でドープされた追加的な層(510)を有する光電子素子(500、600、700)であって、前記ドーピング材料が銅錯体を有し、前記銅錯体は、式I:(I)[式中、E1およびE2は、それぞれ互いに独立して、以下の元素の1つである: 酸素、硫黄またはセレン、且つ、Rは、水素、または、置換もしくは非置換の、分枝鎖、直鎖もしくは環式の炭化水素の群から選択される]による化学構造を有する少なくとも1つの配位子を有する、前記光学素子が提供される。

請求項（抜粋）：

・ 湿式化学法によるホール注入層(508)、および ・ 前記湿式化学法によるホール注入層(508)に隣接する、ドーピング材料でドープされた追加的な層(510) を有する光電子素子(500、600、700)であって、前記ドーピング材料が銅錯体を有し、前記銅錯体は、式I:

IPC (2件)：

H01L 51/50 ,  H05B 33/12

FI (3件)：

H05B33/22 D ,  H05B33/12 C ,  H05B33/14 A

Fターム (10件)：

3K107AA01 ,  3K107CC04 ,  3K107CC21 ,  3K107CC45 ,  3K107DD52 ,  3K107DD72 ,  3K107DD73 ,  3K107DD78 ,  3K107DD80 ,  3K107GG06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• エレクトロルミネセンスデバイスおよびエレクトロルミネセンスデバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-214969   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• タンデム式OLEDデバイスのための中間接続層
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-529097   出願人：イーストマンコダックカンパニー
• 有機エレクトロルミネッセンス発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-367167   出願人：出光興産株式会社