特許
J-GLOBAL ID:201403007629093346

R-T-B系永久磁石

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-092238
特許番号:特許第5565499号
出願日: 2013年04月25日
要約:
【課題】従来のR-T-B系永久磁石と比較して、磁気特性を著しく低下させることなく、温度特性に優れた永久磁石を提供すること。 【解決手段】R-T-B系の構造において、R1-T-Bと(Y、La)-T-Bを交互に積層することによって、R1-T-B系結晶層と(Y、La)-T-B系結晶層の積層構造を形成し、R1-T-B系結晶層の高い異方性磁界を維持しながら、(Y、La)-T-B系結晶層の温度係数の改善効果を得る。(Y、La)-T-B系結晶層の希土類元素をYとLaの2元素とすることで積層構造全体の格子歪を緩和し、高い残留磁束密度を得る。 【選択図】なし
請求項(抜粋):
【請求項1】 R-T-B系の構造を有し、R1-T-B系結晶層(ただし、R1はY、Laを含まない希土類元素の少なくとも1種であり、TはFe又はFe及びCoを必須とする1種以上の遷移金属元素)と(Y、La)-T-B系結晶層が積層していることを特徴とするR-T-B系永久磁石。
IPC (4件):
H01F 1/057 ( 200 6.01) ,  H01F 1/06 ( 200 6.01) ,  H01F 1/08 ( 200 6.01) ,  H01F 10/10 ( 200 6.01)
FI (4件):
H01F 1/04 H ,  H01F 1/06 A ,  H01F 1/08 A ,  H01F 10/10
引用特許:
審査官引用 (4件)
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