電子デバイス及び電子デバイスの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長門侃二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-546642
公開番号（公開出願番号）：特表2014-502815
出願日： 2011年12月05日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
要約：

第一電極(10)、第二電極(20)、第一電極(10)及び第二電極(20)と電気的に連結された活性領域(30)、及びパッケージ(100)を有し、該パッケージ(100)が少なくとも一部の領域に複数の単原子炭素層を含む、電子デバイスが示される。【選択図】図3a

請求項（抜粋）：

第一電極(10)、第二電極(20)、前記第一電極(10)と前記第二電極(20)とに電気的に連結された活性領域(30)、及び、パッケージ(100)を有する電子デバイスにおいて、前記パッケージ(100)が少なくとも一部の領域に複数の単原子炭素層を含む電子デバイス。

IPC (6件)：

H03H 9/25 , H03H 3/08 , H03H 9/02 , H03H 3/02 , H03H 9/17 , H01L 23/06

FI (6件)：

H03H9/25 A , H03H3/08 , H03H9/02 A , H03H3/02 B , H03H9/17 F , H01L23/06 Z

Fターム (10件)：

5J097AA10 , 5J097AA24 , 5J097FF04 , 5J097HA04 , 5J097KK10 , 5J108AA09 , 5J108BB08 , 5J108CC11 , 5J108KK04 , 5J108MM01

引用特許：

審査官引用 (4件)

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