特許

J-GLOBAL ID：201403011106235160

ナノインプリント用テンプレートのパターン配置方法、テンプレート及びパターン形成方法

発明者： 栗原 正彰
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (6件)： 藤枡 裕実 ,  深町 圭子 ,  伊藤 英生 ,  後藤 直樹 ,  伊藤 裕介 ,  立石 英之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-053907
公開番号（公開出願番号）：特開2014-179548
出願日： 2013年03月15日
公開日（公表日）： 2014年09月25日
要約：

【課題】ナノインプリントリソグラフィにおいて、被加工基板上に供給された光硬化性材料にテンプレートを接触させて光硬化性材料を展開する際に、光硬化性材料の展開不良により、未充填の欠陥が発生するのを低減する。【解決手段】 本発明に係わるナノインプリント用テンプレートは、本パターンを有する本パターン領域と、前記本パターン領域の周囲に所定の間隔を隔てて配置されたダミーパターンを有するダミーパターン領域とを設け、前記本パターン領域と前記ダミーパターン領域との間の距離が200nm以下であり、且つ、前記本パターンと前記ダミーパターンとが短絡しない距離であることを特徴とする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

被加工基板上に塗布された光硬化性材料に凹凸のパターンを転写するために用いられるナノインプリント用テンプレートのパターン配置方法であって、 本パターンを有する本パターン領域と、前記本パターン領域の周囲に所定の間隔を隔てて配置されたダミーパターンを有するダミーパターン領域とを設け、 前記本パターン領域と前記ダミーパターン領域との間の距離を200nm以下とし、且つ、前記本パターンと前記ダミーパターンとが短絡しない距離とすることを特徴とするナノインプリント用テンプレートのパターン配置方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  B29C 59/02

FI (2件)：

H01L21/30 502D ,  B29C59/02 B

Fターム (18件)：

4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AJ06 ,  4F209AR07 ,  4F209AR12 ,  4F209AR13 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN06 ,  4F209PN09 ,  4F209PN13 ,  4F209PQ11 ,  5F146AA31 ,  5F146AA32

引用特許：

審査官引用 (3件)

• パターン転写用モールドおよび転写装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-055097   出願人：キヤノン株式会社
• ナノインプリント用のモールド、並びにそれを用いたナノインプリント方法およびパターン化基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-021468   出願人：富士フイルム株式会社
• 基板からテンプレートを分離する際の応力の低減
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-532095   出願人：モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド