特許
J-GLOBAL ID：201403011210645877
半導体試験装置および半導体試験方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-138467
公開番号（公開出願番号）：特開2014-002092
出願日： 2012年06月20日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
要約：
【課題】半導体チップ下のはんだ接合部の中にできる微小または薄いボイドを電気的に高精度で検出できる半導体試験装置および半導体試験方法を提供する。【解決手段】スイッチSW2,SW3をオンして、IGBT30に大電流のパワー電流Ipを流してIGBT30を発熱させる。その前後に、スイッチSW1,SW4をオンして、IGBT30に微小の測定電流Imを流してそのときのしきい値電圧VGE(th)を測定する。制御部50は、発熱前後に測定したしきい値電圧VGE(th)に対応するジャンクション温度を推定し、発熱前後のジャンクション温度の差が一定値以上あると、ボイドがあると判断する。ここで、パワー電流Ipをパルス通電することで、発熱した熱の横方向の拡散を抑え、測定電流Im(コレクタ電流Ic)を定格電流の1/10000以下としたことで、発熱したセルのみに電流が流れ、ボイドを精度よく検出することができるようになる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体チップがはんだ接合部によって構成部材に接合された半導体装置を試験する半導体試験装置において、
前記半導体チップのしきい値電圧を測定するときに前記半導体チップに電流を流す第1の電流源と、
前記半導体チップに電流を流して前記半導体チップを発熱させる第2の電流源と、
前記半導体チップに前記第1の電流源の電流を流すときに前記半導体チップに飽和電圧を印加する第1の電圧源と、
前記半導体チップの前記しきい値電圧を測定するときに前記半導体チップに可変の電圧を印加する第2の電圧源と、
前記第2の電圧源の電圧を可変して前記半導体チップが前記第2の電流源の電流を流すときの前記半導体チップの前記しきい値電圧を測定する電圧計と、
前記半導体チップの発熱前後に測定した前記半導体チップの前記しきい値電圧から前記はんだ接合部内のボイドの有無を判断する制御部と、
を備え、
前記第2の電流源が前記半導体チップに供給する電流をパルス電流にしたことを特徴とする半導体試験装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G01R31/26 A
, G01R31/26 B
2G003AA01
, 2G003AA02
, 2G003AB01
, 2G003AB04
, 2G003AB15
, 2G003AC03
, 2G003AC09
, 2G003AD06
, 2G003AE01
, 2G003AE08
, 2G003AH01
, 2G003AH05
