特許

J-GLOBAL ID：201403011429929960

多結晶シリコン洗浄方法

発明者： 堺 一弘 ,  渥美 徹弥 ,  宮田 幸和
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-269772
公開番号（公開出願番号）：特開2014-148457
出願日： 2013年12月26日
公開日（公表日）： 2014年08月21日
要約：

【課題】不純物や斑点を低減した良質の多結晶シリコンを得ることができる洗浄方法を提供する。【解決手段】酸を満たした状態の複数の酸槽に多結晶シリコンを順次浸漬しながら洗浄する多結晶シリコン洗浄方法であって、多結晶シリコンを前記複数の酸槽のうちの高温状態の酸槽に浸漬して表面の不純物を除去する不純物除去工程と、高温状態の酸槽から引き上げた多結晶シリコンを該高温状態の酸槽よりも低温の酸槽に浸漬して多結晶シリコン表面の斑点を除去する斑点除去工程とを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸を満たした状態の複数の酸槽に多結晶シリコンを順次浸漬しながら洗浄する多結晶シリコン洗浄方法であって、多結晶シリコンを前記複数の酸槽のうちの高温状態の酸槽に浸漬して表面の不純物を除去する不純物除去工程と、前記高温状態の酸槽から引き上げた多結晶シリコンを該高温状態の酸槽よりも低温の酸槽に浸漬して多結晶シリコン表面の斑点を除去する斑点除去工程とを有することを特徴とする多結晶シリコン洗浄方法。

IPC (1件)：

C01B 33/02

FI (1件)：

C01B33/02 E

Fターム (11件)：

4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072BB12 ,  4G072DD01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ16 ,  4G072JJ18 ,  4G072RR30 ,  4G072TT19 ,  4G072UU02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 多結晶シリコン
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-254115   出願人：ワッカー・ケミー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
• 半導体装置の製造装置及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-328572   出願人：日本電気株式会社