特許
J-GLOBAL ID:201403012502019019

枚葉式基板処理のためのエッチングシステム及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-502892
公開番号(公開出願番号):特表2014-511040
出願日: 2012年03月31日
公開日(公表日): 2014年05月01日
要約:
枚葉式基板処理用のエッチング処理システムでの基板上のマスク層のエッチング速度と選択性を増大させる方法及びシステムが供される。当該方法は、昇圧して蒸気と水蒸気の混合物を供給する工程;設定されたエッチング速度及び設定されたエッチング選択比で処理液体を供給して前記シリコン又はシリコン酸化物に対して前記マスク層を選択的にエッチングする工程;前記エッチング処理チャンバ内に前記基板を設ける工程;前記処理液体と前記蒸気と水蒸気の混合物を混合する工程;及び、前記の混合された処理液体と蒸気と水蒸気の混合物を前記エッチング処理チャンバへ注入する工程;を有する。前記の混合された処理液体と蒸気と水蒸気の混合物の流れは、前記設定されたエッチング速度及び前記設定されたシリコン又はシリコン酸化物に対する前記マスク層のエッチング選択比を維持するように制御される。
請求項(抜粋):
基板上のマスク層のエッチング速度と選択性を増大させる枚葉式基板処理用エッチング処理システムであって: 前記マスク層とシリコン又はシリコン酸化物の層を含む基板; 前記基板を静止モード又は回転モードで保持して前記基板をエッチングするエッチング処理チャンバ;
IPC (1件):
H01L 21/306
FI (2件):
H01L21/306 J ,  H01L21/306 R
Fターム (13件):
5F043AA09 ,  5F043AA31 ,  5F043BB01 ,  5F043BB22 ,  5F043DD06 ,  5F043DD07 ,  5F043DD13 ,  5F043EE01 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE10 ,  5F043EE27 ,  5F043EE36
引用特許:
審査官引用 (6件)
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