特許
J-GLOBAL ID：200903094485440054
処理装置および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
布施 行夫
, 大渕 美千栄
, 伊奈 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-037654
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165929
出願日： 2007年02月19日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】エッチング槽の燐酸を液面を一定に保つための制御を行ない易い処理装置を提供する。【解決手段】本発明の処理装置は、半導体ウエハ1を熱燐酸によってエッチング処理する溢流部3a付のエッチング槽3と、前記溢流部3aに溢流した燐酸をエッチング槽3外に導いて濾過、加熱および純水を添加してエッチング槽3内へ戻す循環濾過経路部5と、前記循環濾過経路部5から分岐配管60を介し取り出された燐酸にフッ酸を加えて加熱処理する燐酸再生装置6と、前記燐酸再生装置6で再生された燐酸を前記エッチング槽3に補給する補給配管140aと、新しい燐酸液を供給する新液供給部8とを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを熱燐酸によってエッチング処理する溢流部付のエッチング槽と、
前記溢流部に溢流した燐酸をエッチング槽外に導いて濾過、加熱および純水を添加してエッチング槽内へ戻す循環濾過経路部と、
前記循環濾過経路部から分岐配管を介して取り出された燐酸にフッ酸を加えて加熱処理する燐酸再生装置と、
前記燐酸再生装置で再生された燐酸を前記エッチング槽に補給する補給配管と、
前記燐酸再生装置の再生された燐酸の量に応じて、新しい燐酸液を前記エッチング槽へ供給する新液供給部と、を含む処理装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/306 J
, H01L21/306 E
5F043AA35
, 5F043BB23
, 5F043EE01
, 5F043EE22
, 5F043EE23
, 5F043EE25
, 5F043EE28
, 5F043EE29
, 5F043EE33
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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