特許
J-GLOBAL ID：201403013576662548
半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-064435
公開番号（公開出願番号）：特開2014-189583
出願日： 2013年03月26日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：
【課題】被処理部材(半導体ウエハなど)に機械的または化学的な処理を施す際に、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、高温でのプロセスを経た場合においても、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を容易に解除できる、半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】(A)剥離層と(B)接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合用積層体であって、前記剥離層が、(a1)窒素気流下、20°C/分の一定速度昇温条件のもと測定された際に重量が5質量%減少する温度が250°C以上である25°Cで液体の化合物と、(a2)窒素気流下、20°C/分の一定速度昇温条件のもと測定された際に重量が5質量%減少する温度が250°C以上であるバインダーを含む、半導体装置製造用仮接合用積層体。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
(A)剥離層と(B)接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合用積層体であって、前記剥離層が、(a1)窒素気流下、20°C/分の一定速度昇温条件のもと測定された際に重量が5質量%減少する温度が250°C以上である25°Cで液体の化合物と、(a2)窒素気流下、20°C/分の一定速度昇温条件のもと測定された際に重量が5質量%減少する温度が250°C以上であるバインダーを含む、半導体装置製造用仮接合用積層体。
IPC (4件)：
C09J 7/02
, H01L 21/304
, H01L 21/02
, C09J 201/00
C09J7/02 Z
, H01L21/304 622J
, H01L21/02 C
, C09J201/00
4J004AA01
, 4J004AA05
, 4J004AA11
, 4J004AA15
, 4J004AA16
, 4J004AB07
, 4J004DB02
, 4J004FA08
, 4J040DB031
, 4J040DB061
, 4J040EH031
, 4J040EJ031
, 4J040FA131
, 4J040JA09
, 4J040JB08
, 4J040KA12
, 4J040KA13
, 4J040NA20
, 4J040PA42
, 5F057AA12
, 5F057BA21
, 5F057BB03
, 5F057CA14
, 5F057DA03
, 5F057DA11
, 5F057EC17
, 5F057FA22
, 5F057FA28
, 5F057FA30
