特許
J-GLOBAL ID：201403013779178960

薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器

発明者：
加藤 祐一

加藤 祐一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-109773
公開番号（公開出願番号）：特開2014-229814
出願日： 2013年05月24日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
要約：
【課題】良好なトランジスタ特性を得ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】薄膜トランジスタは、基板と、基板上に形成されると共に、基板側からの不純物に対するバリア性と酸化物半導体層に対する還元性とを有する第1のバリア膜と、第1のバリア膜上の選択的な領域に形成されると共に、水素に対してバリア性を有する第2のバリア膜と、第2のバリア膜上に形成されると共に活性層として機能する第1部分と、第1のバリア膜上に形成されると共に第1部分よりも電気抵抗値の低い第2部分とを含む酸化物半導体層と、酸化物半導体層の第1部分の上に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、酸化物半導体層の第2部分に電気的に接続されたソース電極またはドレイン電極とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成されると共に、前記基板側からの不純物に対するバリア性と前記酸化物半導体層に対する還元性とを有する第1のバリア膜と、 前記第1のバリア膜上の選択的な領域に形成されると共に、水素に対してバリア性を有する第2のバリア膜と、 前記第2のバリア膜上に形成されると共に活性層として機能する第1部分と、前記第1のバリア膜上に形成されると共に前記第1部分よりも電気抵抗値の低い第2部分とを含む酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層の前記第1部分の上に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記酸化物半導体層の前記第2部分に電気的に接続されたソース電極またはドレイン電極と を備えた薄膜トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30 ,  H01L 51/50
FI (4件)：
H01L29/78 626C ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  H05B33/14 A
Fターム (63件)：
2H192AA24 ,  2H192CB02 ,  2H192CB37 ,  2H192CB61 ,  2H192CC32 ,  2H192DA42 ,  2H192EA76 ,  2H192FB02 ,  2H192GD06 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107EE04 ,  5C094AA31 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094EB01 ,  5C094EB10 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094FB19 ,  5C094HA08 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG43 ,  5F110GG54 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN54 ,  5F110NN55
引用特許：
審査官引用 (3件)

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