特許

J-GLOBAL ID：200903021865953642

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 佐藤 歩 ,  林 享 ,  薮田 久人 ,  佐野 政史
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-121384
公開番号（公開出願番号）：特開2009-272427
出願日： 2008年05月07日
公開日（公表日）： 2009年11月19日
要約：

【課題】電気的ストレスによる閾値電圧変化の小さいコプラナー構造の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板の上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極とドレイン電極とチャネル領域とからなる酸化物半導体層と、チャネル保護層と、層間絶縁層と、を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、前記チャネル保護層は1層以上で形成され、そのうち前記酸化物半導体層と接する層は酸素を含む絶縁体からなり、該チャネル保護層の端部の膜厚が該チャネル保護層の中央部の膜厚と比べ薄く、かつ、前記層間絶縁層は水素を含有しており、該層間絶縁層と直接接している該酸化物半導体層の領域がソース及びドレイン電極をなしていることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極とドレイン電極とチャネル領域とからなる酸化物半導体層と、チャネル保護層と、層間絶縁層と、を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、 前記チャネル保護層は1層以上で形成され、そのうち前記酸化物半導体層と接する層は酸化物からなり、該チャネル保護層の端部の膜厚が該チャネル保護層の中央部の膜厚と比べ薄く、かつ、前記層間絶縁層は水素を含有しており、該層間絶縁層と直接接している該酸化物半導体層の領域がソース及びドレイン電極をなしていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/50 ,  G02F 1/136

FI (7件)：

H01L29/78 616A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U ,  H05B33/14 A ,  G02F1/1368

Fターム (79件)：

2H092GA29 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB25 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA19 ,  2H092MA42 ,  2H092NA21 ,  2H092NA24 ,  2H092PA01 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF12 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ16 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ12

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264885   出願人：科学技術振興事業団
• 薄膜トランジスタ及びその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-038426   出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-074630   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (5件)

• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-262991   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-231515   出願人：カシオ計算機株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-038426   出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-074630   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-378475   出願人：カシオ計算機株式会社