特許

J-GLOBAL ID：201403014542300589

半導体ウェハを熱処理するための方法及び装置

発明者： アンドレアス ティルマン ,  ディーター ツェルニッケル ,  ソハイラ ショーシュタリアン ,  ナラシムハ アチャルヤ ,  マイク エルバート
出願人/特許権者： マットソン サーマル プロダクツ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  久野 琢也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-567023
特許番号：特許第5511115号
出願日： 2001年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体ウェハを熱処理するための方法において、 半導体ウェハを複数のランプと関連した熱処理チャンバ内に配置し、前記半導体ウェハが、半径方向軸線に沿って少なくとも1つの局部領域を規定しており、 所定の熱サイクルに従って、前記半導体ウェハの温度を所定の温度に調節し、前記所定の熱サイクルが、前記半導体ウェハが前記複数のランプによって加熱される加熱段階を含んでおり、 前記所定の熱サイクルの少なくとも1つの段階中に、前記所定の温度からの前記少なくとも1つの局部領域の温度偏差を最小限にするように前記半導体ウェハの前記少なくとも1つの局部領域のうちの少なくとも1つの温度を選択的に制御するために半導体ウェハの下方にガスを提供するステップから成り、前記少なくとも1つの局部領域の前記温度を、前記所定の熱サイクルの加熱段階中に低下させることを特徴とする、半導体ウェハを熱処理するための方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  H01L 21/26 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/31 E ,  H01L 21/26 T

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 試料台
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-194874   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭62-282437
  
• 特開昭62-282437
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-001039   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-005822
  
• 特開昭62-282437
  
• 特開平4-005822