特許
J-GLOBAL ID：201403015719453719

不揮発性半導体記憶装置とその読み出し方法

発明者：
中山 晶智

中山 晶智 について


出願人/特許権者：
力晶科技股▲ふん▼有限公司

力晶科技股▲ふん▼有限公司 について


代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  川端 純市
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-171200
公開番号（公開出願番号）：特開2014-032715
特許番号：特許第5586666号
出願日： 2012年08月01日
公開日（公表日）： 2014年02月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 それぞれワード線に接続された複数のメモリセルが複数のビット線とソース線との間に接続されてなり、上記各メモリセルからのデータを3回以上の奇数回読み出して多数決方式でデータ値を決定して出力する不揮発性半導体記憶装置において、 上記メモリセルから上記奇数回読み出された各データの電圧を選択的に順次それぞれ保持するキャパシタを有する1個のラッチ回路と、 上記ラッチ回路は、互いに直列に接続された奇数個のトランジスタと、互いに隣接する上記各トランジスタ間の接続点及び上記ラッチ回路の入出力端子から見て遠端のトランジスタ端子に接続された奇数個のキャパシタとを備え、 上記不揮発性半導体記憶装置は、 上記メモリセルから上記奇数回読み出された各データの電圧を選択的に順次それぞれ上記ラッチ回路の各キャパシタに保持させた後、上記ラッチ回路の各キャパシタを並列に接続し、上記並列に接続された各キャパシタの合成電圧に基づいて、多数決方式のデータ値として決定するように制御する制御回路とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ( 200 6.01) ,  G11C 16/06 ( 200 6.01)
FI (2件)：
G11C 17/00 613 ,  G11C 17/00 634 G
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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