特許

J-GLOBAL ID：201403019256121105

半導体レーザ素子

発明者： 三好 隆
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-250740
公開番号（公開出願番号）：特開2014-132652
出願日： 2013年12月04日
公開日（公表日）： 2014年07月17日
要約：

【課題】 窒化物半導体からなる基板を用いた半導体レーザ素子において、良好に光を閉じ込め、FFPのリップルを低減することができる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 GaNからなる基板の上に、窒化物半導体からなり屈折率が基板よりも高い発光層を有する半導体レーザ素子であって、基板と発光層との間に、基板の側から順に、AlGaNからなる第1窒化物半導体層と、第1窒化物半導体層よりAl組成比が大きいAlGaNからなる第2窒化物半導体層と、InGaNからなる第3窒化物半導体層と、第1窒化物半導体層よりAl組成比が大きいAlGaNからなり、且つ、第2窒化物半導体層より膜厚が大きい第4窒化物半導体層と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaNからなる基板の上に、窒化物半導体からなり屈折率が前記基板よりも高い発光層を有する半導体レーザ素子であって、 前記基板と前記発光層との間に、前記基板の側から順に、 AlGaNからなる第1窒化物半導体層と、 前記第1窒化物半導体層よりAl組成比が大きいAlGaNからなる第2窒化物半導体層と、 InGaNからなる第3窒化物半導体層と、 前記第1窒化物半導体層よりAl組成比が大きいAlGaNからなり、且つ、前記第 2窒化物半導体層より膜厚が大きい第4窒化物半導体層と、を有することを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/20 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01S5/20 610 ,  H01S5/343 610

Fターム (17件)：

5F173AA08 ,  5F173AA16 ,  5F173AF06 ,  5F173AF15 ,  5F173AF22 ,  5F173AF24 ,  5F173AF32 ,  5F173AF33 ,  5F173AF35 ,  5F173AF40 ,  5F173AG11 ,  5F173AG22 ,  5F173AH22 ,  5F173AR02 ,  5F173AR52 ,  5F173AR81 ,  5F173AR96

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-290590   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-240316   出願人：ローム株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-290590   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-240316   出願人：ローム株式会社