特許
J-GLOBAL ID：200903004989537360

半導体レーザ

発明者：
太田 裕朗

太田 裕朗 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 寺山 啓進 ,  三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-240316
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059488
出願日： 2005年08月22日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】活性層内における光の増幅度や、レーザ発振のしきい値に大きな影響を与えずに、FFPの大きさを改善する半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザは、n型電極1、基板2、n型バッファ層3、n型クラッドA層4、高屈折率層5、n型クラッドA層6、n型光ガイド層7、MQW活性層8、p型光ガイド層9、p型クラッド層10、p型コンタクト層11、p型電極12で形成されている。n型クラッド層中にn型クラッド層よりも高い屈折率を有する高屈折率層5が形成されており、この高屈折率層5の作用により光のしみ出す領域を拡大させてFFPを小さくする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
活性層をn型とp型の1対のクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造を有する半導体レーザであって、n型クラッド層中にn型クラッド層よりも高い屈折率を有する高屈折率層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (1件)：
H01S 5/343
FI (1件)：
H01S5/343 610
Fターム (10件)：
5F173AF03 ,  5F173AF24 ,  5F173AG12 ,  5F173AG20 ,  5F173AG22 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AJ13 ,  5F173AP05 ,  5F173AR55
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-053353   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (4件)
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