特許
J-GLOBAL ID：200903084549526211

半導体レーザ素子

発明者：
園部 真也

園部 真也 について

, 
枡井 真吾

枡井 真吾 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-290590
公開番号（公開出願番号）：特開2009-117695
出願日： 2007年11月08日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：
【課題】高出力の半導体レーザ素子においても、共振器端面での発熱を最小限にとどめて、CODレベルを向上させることができるとともに、良好なFFPを得ることができ、信頼性が高く、長寿命の半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【解決手段】第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層からなる積層体と、前記第2導電型半導体層に接触して共振器方向に平行なストライプ状の溝部を有する電流阻止層とを有し、前記溝部の共振器端面側に誘電体が埋め込まれており、内側に導電性酸化物が埋め込まれている半導体レーザ素子。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層からなる積層体と、 前記第2導電型半導体層に接触して共振器方向に平行なストライプ状の溝部を有する電流阻止層とを有し、 前記溝部の共振器端面側に誘電体が埋め込まれており、内側に導電性酸化物が埋め込まれていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
H01S 5/22
FI (1件)：
H01S5/22
Fターム (11件)：
5F173AA02 ,  5F173AA16 ,  5F173AF24 ,  5F173AF36 ,  5F173AF96 ,  5F173AH22 ,  5F173AK04 ,  5F173AK20 ,  5F173AP05 ,  5F173AR52 ,  5F173AR96
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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