ベルト型磁石を含むプラズマ発生源及びこれを用いた薄膜蒸着システム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：新保斉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-513443
公開番号（公開出願番号）：特表2014-522551
出願日： 2012年06月01日
公開日（公表日）： 2014年09月04日
要約：

発明は、プラズマ発生源及びその応用に関するものであり、高真空度において均一な高密度プラズマを発生させ、このようなプラズマ発生源をスパッタリング装置、中性粒子ビーム発生源、スパッタリング装置と中性粒子ビーム発生源の組み合わせにより構成された薄膜蒸着システムに応用することで、高品質の薄膜を得るためのものである。本発明によれば、一組以上のベルト型磁石による磁場と、マイクロ波照射装置によるマイクロ波を用いてプラズマを発生させ、上記ベルト型磁石の連続構造に基づいて、電子の回帰軌跡を誘導し、プラズマ閉じ込め効果を最大に高めることで、上記目的を達成することができる。【選択図】図1a

請求項（抜粋）：

電子プラズマ発生空間を形成するプラズマチャンバ; 上記プラズマチャンバの外壁を囲む形で配置された一組以上のベルト型磁石;および上記プラズマ発生空間にマイクロ波を照射するマイクロ波照射装置;を含み、上記ベルト型磁石は、連続した磁石の配列を持ち、上記のマイクロ波照射装置は、照射方向を調節することで、マイクロ波の電場が一組以上のベルト型磁石によって、プラズマ発生領域に形成される磁場の方向と垂直になるようマイクロ波を照射し、磁場分布に沿ってプラズマ密度を高めることを特徴とするプラズマ発生源。

IPC (4件)：

H05H 1/46 , C23C 14/35 , H05H 3/02 , H01L 21/285

FI (4件)：

H05H1/46 B , C23C14/35 F , H05H3/02 , H01L21/285 S

Fターム (18件)：

2G085BB17 , 2G085BC02 , 2G085BC03 , 2G085BD01 , 2G085DA03 , 4K029BA50 , 4K029CA05 , 4K029DC16 , 4K029DC33 , 4K029DC34 , 4K029DC42 , 4K029DC43 , 4K029DC48 , 4M104BB36 , 4M104DD37 , 4M104DD39 , 4M104GG04 , 4M104GG05

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-216342 出願人：三菱電機株式会社
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-280431 出願人：キヤノン株式会社
特開昭63-250822

全件表示

審査官引用 (5件)

特開昭63-250822
特開昭64-052062
イオン化スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-085705 出願人：アネルバ株式会社

全件表示

前のページに戻る