薄膜形成装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280431
公開番号（公開出願番号）：特開平9-125243
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月13日
要約：

【要約】【課題】ターゲットにエロージョンができ、ターゲットの利用効率が低く、結晶性の高い多結晶を成膜することが困難であるとともに吸収性の低い結晶を成膜することができない。【解決手段】直流電源108と、薄膜形成を行う成膜室101と、誘電体109を有し、外部からのマイクロ波電力を伝搬し、成膜室101内に供給する導波管110とから構成し、成膜室101には、薄膜形成が行われる基体102と、、基体102を支持するための支持体103と、支持体103と対向して配置され、かつ、薄膜を形成する粒子が表面に付着し、直流電源108から電圧が印加されることによりプラズマを生成するターゲット電極105と、成膜室101内にガスを導入するための第1のガス導入管106及び第2のガス導入管107と、成膜室101内の排気を行うための排気管104とを設ける。

請求項（抜粋）：

薄膜形成が行われる成膜室と、電源とを有し、前記成膜室が、前記電源に接続され、薄膜が形成される基体を保持する支持体と、前記成膜室内にガスを導入するためのガス導入管と、前記成膜室内の排気を行うための排気管と、前記薄膜を形成する粒子が表面に付着し、前記電源から電圧が印加されることによりプラズマを生成するターゲット電極とから構成される薄膜形成装置において、前記成膜室周囲に、前記成膜室内にマイクロ波電力を供給する導波管を具備することを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (9件)：

C23C 14/35 , C23C 14/06 , C23C 14/34 , C23C 14/38 , C23C 14/40 , H01L 21/203 , H01L 21/285 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (10件)：

C23C 14/35 F , C23C 14/06 G , C23C 14/34 M , C23C 14/34 H , C23C 14/38 , C23C 14/40 , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S , H01L 21/31 C , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (11件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-306941 出願人：三菱電機株式会社
装飾性および密着性に優れる窒化ジルコニウムの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-262978 出願人：株式会社神戸製鋼所
耐食性材料及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-327848 出願人：株式会社神戸製鋼所

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