特許
J-GLOBAL ID：201403021894086192
炭化珪素半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-017147
公開番号（公開出願番号）：特開2014-150126
出願日： 2013年01月31日
公開日（公表日）： 2014年08月21日
要約：
【課題】メインセルとセンスセルとの間に素子分離層を形成することでこれらの間の素子分離を的確に行いつつ、素子分離層の下方での電界集中を緩和し、かつ、メインセルとセンスセルとが導通してしまわないようにする。【解決手段】メインセル領域Rmとセンスセル領域Rsの間を電気的に分離するように素子分離層14を備える。また、素子分離層14の底部において電界集中が緩和されるように電界緩和層15を備えつつ、さらに電界緩和層15を素子分離層14の間においてメインセル領域Rm側とセンスセル領域Rs側とに分離する。これにより、メインセル領域Rmとセンスセル領域Rsの間に素子分離層14を形成することでこれらの間の素子分離を的確に行いつつ、電界緩和層15によって素子分離層14の下方での電界集中を緩和できる。さらに、電界緩和層15によってメインセル領域Rmとセンスセル領域Rsとが導通しないようにできる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
裏面側が高濃度不純物層(1)とされていると共に表面側が前記高濃度不純物層よりも低不純物濃度とされたドリフト層(2)とされ、第1導電型の炭化珪素にて構成された半導体基板(1、2)と、
前記ドリフト層(2)の上に形成された第2導電型の炭化珪素からなるベース領域(3)と、
前記ベース領域の上層部に形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度の第1導電型の炭化珪素で構成されたソース領域(4)と、
前記ベース領域のうち前記ソース領域と前記ドリフト層との間に位置する部分の表層部もしくは表面上に構成されるチャネル領域の表面に形成されたゲート絶縁膜(7)と、
前記ゲート絶縁膜の表面に形成されたゲート電極(8)と、
前記ソース領域に電気的に接続されるソース電極(10)と、
前記半導体基板の裏面側における前記高濃度不純物層と電気的に接続されるドレイン電極(12)とを有するMOSFETをメインセル領域(Rm)およびセンスセル領域(Rs)にそれぞれ備え、
さらに、前記メインセル領域と前記センスセル領域との間において、前記ベース領域の表面から該ベース領域よりも深くまで形成され、前記メインセル領域側と前記センスセル領域側とに分離する素子分離層(14)と、
前記ベース領域の底部から前記素子分離層よりも深い位置まで形成された第2導電型の電界緩和層(15)とを有し、
前記電界緩和層は、前記メインセル領域側と前記センスセル領域側とに分離されており、該電界緩和層の分離部分の内側に前記素子分離層の少なくとも一部が配置されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78
, H01L 21/76
, H01L 29/12
, H01L 27/04
, H01L 29/06
H01L29/78 652R
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 657F
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652P
