特許
J-GLOBAL ID：201403023608783917
窒化物半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-121748
公開番号（公開出願番号）：特開2014-239179
出願日： 2013年06月10日
公開日（公表日）： 2014年12月18日
要約：
【課題】窒化物半導体層あるいは窒化物半導体素子の基板の転写において、その接着手法に制限されず容易に転写が行える手法を提供する。【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法であって、基板上に作製された窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子の前記基板が接している面とは対向する面に表面保護層を塗布する工程と、表面保護層上に固定具を固定する工程と、窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子を基板から剥離する工程と、剥離した窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子の基板を剥離した面に別の基板を接合する工程と、表面保護層を、表面保護層のみが溶解し、基板と、窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子とはエッチングされない選択的表面保護層除去液を用いて、除去する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に作製された窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子の前記基板が接している面とは対向する面に表面保護層を塗布する工程と、
前記表面保護層上に固定具を固定する工程と、
前記窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子を前記基板から剥離する工程と、
前記剥離した窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子の前記基板を剥離した面に別の基板を接合する工程と、
前記表面保護層を、前記表面保護層のみが溶解し、前記基板と、前記窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子とはエッチングされない選択的表面保護層除去液を用いて、除去する工程と
を含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02
, H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
H01L21/02 B
, H01L29/80 H
, H01L21/02 C
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
