特許
J-GLOBAL ID：201403025603569570

有機EL装置の製造方法

発明者：
久保田 浩史

久保田 浩史 について


出願人/特許権者：
株式会社ジャパンディスプレイ

株式会社ジャパンディスプレイ について


代理人 (20件)： 特許業務法人スズエ国際特許事務所 ,  蔵田 昌俊 ,  高倉 成男 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-098891
公開番号（公開出願番号）：特開2012-138384
特許番号：特許第5377705号
出願日： 2012年04月24日
公開日（公表日）： 2012年07月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 画素電極を形成する工程と、 前記画素電極の表面を洗浄する第1洗浄工程と、 前記第1洗浄工程によって除去し切れなかった異物もしくは前記第1洗浄工程の際に付着した異物が前記画素電極の上に存在している状態で、前記画素電極の上に無機化合物からなるホール輸送性を有する材料により第1酸化物層を形成する工程と、 前記第1酸化物層の表面を洗浄し前記画素電極の上に存在した異物を除去する第2洗浄工程と、 前記第2洗浄工程の後に、前記第1酸化物層の上及び前記第1酸化物層から露出していた前記画素電極の上に無機化合物からなるホール輸送性を有しその抵抗率が前記第1酸化物層の抵抗率よりも小さい材料により第2酸化物層を形成する工程と、 前記第2酸化物層の上に有機層を形成する工程と、 前記有機層の上に対向電極を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする有機EL装置の製造方法。
IPC (2件)：
H05B 33/10 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/22 C ,  H05B 33/14 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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