特許
J-GLOBAL ID：201403025824344432

半導体装置の製造方法

発明者：
魯 鴻飛

魯 鴻飛 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-026698
公開番号（公開出願番号）：特開2014-157861
出願日： 2013年02月14日
公開日（公表日）： 2014年08月28日
要約：
【課題】高温長時間の酸素雰囲気での分離拡散後のプロセスにおける酸化膜パターンの形状不良やゲート特性不良を低減することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】分離拡散工程(第1工程)によりデバイスの周辺部となる領域にp型分離領域を形成した後、p型分離領域表面を第2酸化膜でカバーして酸素外方拡散工程(第2工程)を行う。この酸素外方拡散により、p型分離領域より内側のSiウェハ表面に接合終端領域内のフィールドリミットリングより深い低酸素濃度層を形成する。この時、酸素外方拡散温度への昇降温速度は4°C/分以上とする。その後、第3工程としてフィールド酸化膜を形成し、続いてAr雰囲気でポスト酸化アニール処理を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板の第1主面に形成した第1酸化膜をマスクとして、該半導体基板内の各デバイス領域内の周辺部に第2導電型の分離領域を選択的に酸化雰囲気で形成する第1工程と、前記第1酸化膜を全面除去し、再度前記分離領域表面に第2酸化膜を選択的に形成し、酸素外方拡散処理を施して前記分離領域の内周側の半導体基板表面に低酸素領域を形成した後、前記第2酸化膜を除去する第2工程と、第3酸化膜を形成し、アルゴン雰囲気においてポスト酸化アニール処理を施してフィールド酸化膜を形成する第3工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/316
FI (8件)：
H01L29/78 658F ,  H01L29/78 655C ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652K ,  H01L21/324 X ,  H01L21/316 S ,  H01L21/316 P ,  H01L21/316 X
Fターム (10件)：
5F058BA02 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BE02 ,  5F058BF56 ,  5F058BF61 ,  5F058BF62 ,  5F058BH01 ,  5F058BH10 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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