特許

J-GLOBAL ID：201403025937033581

光電変換素子、及び、イメージセンサ

発明者： 菊地 健司 ,  為村 成亨 ,  宮川 和典 ,  久保田 節
出願人/特許権者： 日本放送協会
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-155401
公開番号（公開出願番号）：特開2014-017440
出願日： 2012年07月11日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
要約：

【課題】 本発明は、暗電流を低減し、高いS/N比が得られる光電変換素子、及び、イメージセンサを提供することを課題とする。【解決手段】 光電変換素子は、第1電極層と、前記第1電極層に積層される光電変換層と、酸化ガリウムで構成され、前記光電変換層に積層される正孔注入阻止層と、前記正孔注入阻止層に積層され、透光性電極材料で構成される第2電極層とを具える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極層と、 前記第1電極層に積層される光電変換層と、 酸化ガリウムで構成され、前記光電変換層に積層される正孔注入阻止層と、 前記正孔注入阻止層に積層され、透光性電極材料で構成される第2電極層と を具える光電変換素子。

IPC (2件)：

H01L 31/026 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H01L31/08 L ,  H01L27/14 E

Fターム (19件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA08 ,  4M118CA14 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  5F088AA11 ,  5F088AB01 ,  5F088BA03 ,  5F088BA04 ,  5F088BB03 ,  5F088CB07 ,  5F088CB11 ,  5F088DA05 ,  5F088DA20 ,  5F088EA04 ,  5F088FA04 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光電変換素子,光電変換素子の製造方法及び固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-123328   出願人：富士フイルム株式会社
• 特開昭52-035993
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Sputtered NiO as electron blocking layer in P3HT:PCBM solar cells fabricated in ambient air"